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SSM3K361TU	文件：266.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：KFT；Package：UFM；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：266.12 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K361TU	文件：276.09 Kbytes Page：8 Pages	丝印：KFT；Package：UFM；MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H) 文件：276.09 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K361TU_V01	文件：266.12 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：266.12 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K361TULF	文件：266.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：KFT；Package：UFM；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：266.12 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K361TULXGF	文件：266.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：KFT；Package：UFM；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：266.12 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K361TULXHF	文件：266.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：KFT；Package：UFM；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 175 ℃ MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) 文件：266.12 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K361TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 3.5 A \nPower Dissipation PD 1.0 W \nDrain-Source voltage VDSS 100 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
UFM
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
100
ID(A)：
3.5
=4.5V：
0.092
=10V：
0.069
Qg(nC)：
3.2
Tch(℃)：
175
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSM3K361TU供应商更新时间2026-2-5 13:40:00

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