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SSM3K345R

Small Low ON resistance MOSFETs; Drain current ID 4 A \nDrain-Source voltage VDSS 20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V \n;

Polarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰国\n

ToshibaToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

SSM3K345R

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

技术参数

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS(V):

    20

  • VGSS(V):

    +/-8

  • ID(A):

    4.0

  • PD(W):

    1.0

  • Ciss(pF):

    410

  • Qg(nC):

    3.6

  • =1.5V:

    0.108

  • =1.8V:

    0.074

  • =2.5V:

    0.045

  • =4.5V:

    0.033

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    SOT-23F

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2):

    6.96

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

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