SSM3K339R中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3K339R规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：U-MOSⅦ-H
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：泰国
特性 Features
Drain current ID 2 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS 40 V
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3K339R
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：40
- VGSS(V)
：+/-12
- ID(A)
：2.0
- PD(W)
：1.0
- Ciss(pF)
：130
- Qg(nC)
：1.1
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
：0.39
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：0.238
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.198
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：SOT-23F
- Generation
：U-MOSⅦ-H
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.4 x 0.8
- Package Size(mm^2)
：6.96
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
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