SSM3K16FV中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3K16FV规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅥ
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Drain current ID 0.1 A
Drain-Source voltage VDSS 20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-10 V
技术参数
- 制造商编号
：SSM3K16FV
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：20
- VGSS(V)
：+/-10
- ID(A)
：0.1
- PD(W)
：0.15
- Ciss(pF)
：9.3
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
：15
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：4.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
：3.0
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：VESM
- Generation
：π-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
：1.2 x 1.2 x 0.5
- Package Size(mm^2)
：1.44
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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