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SSM3K329R中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

SSM3K329R

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 22:59:00

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SSM3K329R规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Drain current ID 3.5 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V

技术参数

  • 制造商编号

    :SSM3K329R

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :30

  • VGSS(V)

    :+/-12

  • ID(A)

    :3.5

  • PD(W)

    :1.0

  • Ciss(pF)

    :123

  • Qg(nC)

    :1.5

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V

    :0.289

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.17

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V

    :0.126

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :SOT-23F

  • Generation

    :U-MOSⅢ

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2)

    :6.96

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

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