SSM3K329R中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3K329R规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Drain current ID 3.5 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V
技术参数
- 制造商编号
:SSM3K329R
- 生产厂家
:Toshiba
- Polarity
:N-ch
- VDSS(V)
:30
- VGSS(V)
:+/-12
- ID(A)
:3.5
- PD(W)
:1.0
- Ciss(pF)
:123
- Qg(nC)
:1.5
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
:0.289
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
:0.17
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
:0.126
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:Y
- Package name(Toshiba)
:SOT-23F
- Generation
:U-MOSⅢ
- Width×Length×Height(mm)
:2.9 x 2.4 x 0.8
- Package Size(mm^2)
:6.96
- Drive voltage type
:Low Voltage Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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