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SSM3K337R_V01	文件：266.07 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •RelayDrivers Features (1)AEC-Q101Qualified(Note1). (2)4.0-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=200mΩ(max)(@VGS=4.0V,ID=1.0A) RDS(ON)=176mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=2.0A) RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=10V,ID=2.0A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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文件：266.07 Kbytes

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MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •RelayDrivers Features (1)AEC-Q101Qualified(Note1). (2)4.0-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=200mΩ(max)(@VGS=4.0V,ID=1.0A) RDS(ON)=176mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=2.0A) RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=10V,ID=2.0A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多SSM3K337R_V01供应商更新时间2025-5-19 18:43:00

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