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SSM3K329R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •PowerManagementSwitches •High-SpeedSwitching Features (1)1.8-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=289mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=170mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=126mΩ(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多SSM3K329R_V01供应商 更新时间2025-7-21 15:22:00