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SSM3K329R_V01

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • High-Speed Switching Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 289 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) RDS(ON) = 170 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)

文件:392.83 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K333RMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
-

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM3K341R

TOSHIBA
SOT23-3

SSM3K341RLXHF

TOSHIBA
SOT-23

SSM3K7002F

TOSHIBA原装

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更多SSM3K329R_V01供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00