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SSM3K324R_V01	文件：268.28 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) 文件：268.28 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K333RMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA/东芝 -	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSM3K341R	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA SOT23-3	TOSHIBA 东芝上传：深圳市科芯源微电子有限公司	TOSHIBA
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更多SSM3K324R_V01供应商更新时间2025-10-9 11:00:00