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SSM3K2615R中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3K2615R规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅤ
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国
特性 Features
Drain current ID 2 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS 60 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
:SSM3K2615R
- 生产厂家
:Toshiba
- Life-cycle
:新产品
- Package name(Toshiba)
:SOT-23F
- Width×Length×Height(mm)
:2.9 x 2.4 x 0.8
- AEC-Q101
:Qualified(*)
- Polarity
:N-ch
- VDSS(V)
:60
- ID(A)
:2.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
:0.3
- Qg(nC)
:6.0
- Tch(℃)
:150
- Drive voltage type
:Low Voltage Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(东芝) |
25+ |
- |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT-23F |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
SOT-23F |
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TOSHIBA/东芝 |
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NA |
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TOSHIBA(东芝) |
23+ |
SOT-23F |
2860 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
询价 | ||
CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
SOT-23F |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
2526+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-23F |
47900 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
CCSEMI/芯能圆 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 |


