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SSM3K131TU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3K131TU规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅣ
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Drain current ID 6 A
Power Dissipation PD 0.5 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
:SSM3K131TU
- 生产厂家
:Toshiba
- Package name(Toshiba)
:UFM
- Width×Length×Height(mm)
:2.0 x 2.1 x 0.7
- AEC-Q101
:Qualified(*)
- Polarity
:N-ch
- VDSS(V)
:30
- ID(A)
:6.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
:0.0415
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
:0.0276
- Qg(nC)
:10.1
- Tch(℃)
:150
- Drive voltage type
:Logic-Level Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA/东芝 |
SOT-323 |
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TOSHIBA/东芝 |
2023+ |
SOT-323 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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SOT323 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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