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SSM3J356R_V01中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM3J356R_V01
厂商型号

SSM3J356R_V01

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

文件大小

244.56 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 18:23:00

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SSM3J356R_V01规格书详情

Applications

• Power Management Switches

Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) 4 V gate drive voltage.

(3) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 400 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)

RDS(ON) = 300 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
23+
NA
20094
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