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SSM3J356R_V01	文件：244.56 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4 V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 400 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 300 mΩ (max) (@VGS = -10 V) 文件：244.56 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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SSM3K333RMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
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更多SSM3J356R_V01供应商更新时间2025-12-7 10:38:00