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SSM3J356R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications •PowerManagementSwitches Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)4Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=400mΩ(max)(@VGS=-4.0V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=-10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多SSM3J356R_V01供应商 更新时间2025-7-28 9:18:00