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SSM3J144TU	文件：273.76 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJM；Package：UFM；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = 文件：273.76 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J144TU	文件：279.42 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJM；Package：UFM；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：279.42 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J144TU_V01	文件：273.76 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = 文件：273.76 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J144TULF	文件：273.76 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = 文件：273.76 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J144TULXGF	文件：273.76 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = 文件：273.76 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J144TULXHF	文件：273.76 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = 文件：273.76 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J144TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：1.5-volt gate drive voltage\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -3.2 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS -8/+6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
UFM
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
ID(A)：
-3.2
=2.5V：
0.123
=4.5V：
0.093
Qg(nC)：
4.7
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	SSM3J144TU	TOSHIBA/东芝	2025+	UFM	5000	原装进口,免费送样品!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SSM3J144TU	TOSHIBA/东芝	20+	SOT-323	120000	原装正品可含税交易	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	SSM3J144TU	TOSHIBA/东芝	22+	UFM	20000	只做原装	询价
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天津市博通航睿技术有限公司	SSM3J144TU,LF	TOSHIBA			100		询价
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北京京北通宇电子元件有限公司	SSM3J144TU,LXHF	TOSHIBA	24+	con	10	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SSM3J145TU	TOSHIBA/东芝	23+	UFM	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SSM3J14T	TOSHIBA		SOT-23	1200	正品原装--自家现货-实单可谈	询价

更多SSM3J144TU供应商更新时间2026-2-4 16:36:00

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