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4N60-N	文件：250.76 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N60P	文件：2.76231 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
4N60P	文件：937.07 Kbytes Page：4 Pages	600V4AN-ChannelMOSFET	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
4N60-Q	文件：262.04 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N60-R	文件：210.81 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N60-S	文件：236.59 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N60T	文件：2.76231 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
4N60Z	文件：359.97 Kbytes Page：8 Pages	4A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N60Z-E	文件：202.8 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
4N60ZG	文件：1.07616 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AM4N60B	文件：328.62 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel600-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM4N60D	文件：232.72 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel600-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM4N60D	文件：1.56198 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AM4N60I	文件：314.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel600-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM4N60P	文件：305.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel600-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS4N60	文件：499.27 Kbytes Page：8 Pages	4A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAMS4N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS
AOD4N60	文件：539.45 Kbytes Page：6 Pages	600V,4AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4N60	文件：250.44 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD4N60	文件：1.07605 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI4N60	文件：1.07713 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SSI4N60BTU
功能描述：
MOSFET NCh/600V/4a/2.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SSI4N60BTU供应商更新时间2024-6-14 15:14:00

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