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SSESD11N5.0ST5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN

ONSEMI

安森美半导体

ESD11N5.0ST5G

Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

The ESD11N is designed to protect voltage sensitive components that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at

文件:138.69 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SSF5508

TO220

SILIKRON

新硅能微电子

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

SSF65R190S2

TO-220

SUPER超致

SSF65R260S2

TO-220F

SUPER超致

产品属性

  • 产品编号:

    SSESD11N5.0ST5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    ESD11N

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.8V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    12V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    USB

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DSN(0.60x0.30)

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SSESD11N5.0ST5G供应商 更新时间2025-11-4 15:14:00