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STS9014	文件：92.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
TEC9014	文件：130.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS. DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighVoltageandHighCurrent :VcEO=50V(Min.),Ic=150mA(Max.) .LowNoise:NF=0.9dB(Typ.)atf=lkHz .ComplementarytoTEC9015	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
U9014	文件：228.74 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V •LowerRDS(ON):0.362Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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STS9014

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NPNSiliconTransistor

AUK

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SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS)

AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS. DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighVoltageandHighCurrent :VcEO=50V(Min.),Ic=150mA(Max.) .LowNoise:NF=0.9dB(Typ.)atf=lkHz .ComplementarytoTEC9015

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

U9014

文件：228.74 Kbytes

Page：7 Pages

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V •LowerRDS(ON):0.362Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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详细参数

型号：
SS9014D
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN/50V/100mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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