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SRT120N06HQ

SGT

SALLTECH

萨瑞微电子

TSM120N06LCP

Low gate charge for fast power switching

文件:320.22 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM120N06LCR

Low gate charge for fast power switching

文件:423.63 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM120N06LCS

Low gate charge for fast power switching

文件:327.77 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Vds(V):

    60.00

  • Vgs(V):

    10.00

  • Id_25℃(A):

    11.00

  • Pd(W):

    3.10

  • VT_Min(V):

    1.00

  • VT_Typ(V):

    1.90

  • VT_Max(V):

    2.40

  • Rds(on)/(mΩ)_Vgs=10V_Typ:

    9.00

  • Rds(on)/(mΩ)_Vgs=10V_Max:

    12.00

  • Rds(on)/(mΩ)_Vgs=4.5V/6V_Typ:

    12.00

  • Rds(on)/(mΩ)_Vgs=4.5V/6V_Max:

    16.00

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更多SRT120N06HQ供应商 更新时间2025-11-27 14:02:00