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SQD50N06	文件：162.15 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：161.89 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC •AEC-Q101Qualifiedd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L_V02	文件：161.89 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC •AEC-Q101Qualifiedd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-07L	文件：157.04 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-07L-GE3	文件：991.77 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SQD50N06-09L	文件：182.77 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：179.8 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：248.15 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：234.35 Kbytes Page：11 Pages	Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：180.26 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：179.68 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：162.79 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L	文件：162.15 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L_15	文件：162.12 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L_V01	文件：162.79 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-09L-GE3	文件：989.85 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SQD50N06-09L-GE3	文件：162.79 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
50N06	文件：145.94 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC50N06isthree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityofabout50A,fastswitchingspeed.Lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof60V,andmaxthresholdvoltagesof4volt.Itismainlysuitableelectronicballast,andlowpowerswitchingmod	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
50N06	文件：330.9 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
SQD50N06
功能描述：
MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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