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SQD50N06-07L-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SQR50N06-07L-GE3

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SQD50P06-15L_GE3

VISHAY
TO-252

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VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SQD50N06-07L-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VIS
23+
TO-252
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原装正品,假一罚十
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VBSEMI/台湾微碧
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TO-252
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全新原装正品现货,支持订货
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