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SQD50N06-07L	文件：157.04 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQD50N06-07L-GE3	文件：991.77 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SUD50N06-07L	文件：299.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=96A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUD50N06-07L	文件：55.38 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUD50N06-07L	文件：197.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60-V(D-S)175CelsiusMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUD50N06-07L-RC	文件：99.25 Kbytes Page：3 Pages	R-CThermalModelParameters	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUU50N06-07L	文件：954.98 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
SQD50N06-07L
功能描述：
MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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