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SPB17N80C3	文件：333.85 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPB17N80C3	文件：189.55 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB17N80C3	文件：432.09 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS짰PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP17N80C3	文件：339.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.29Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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更多SPP17N80C3MOS(场效应管)供应商更新时间2025-5-25 14:00:00

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