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SPI70N10L	文件：514.21 Kbytes Page：8 Pages	丝印：70N10L；Package：TO-263-3；SIPMOS Power-Transistor 文件：514.21 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPI70N10L	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP70N10L	文件：514.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：514.21 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SSF70N10A	文件：265.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：265.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSH70N10	文件：262.38 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.018 Ω (Typ.) 文件：262.38 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
SPI70N10L
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SIPMOS®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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深圳市一线半导体有限公司	SPI70N10L	INFINEON	24+	P-TO262-3	8866		询价
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更多SPI70N10L供应商更新时间2026-2-1 15:30:00

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