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SPI80N03S2-03 | OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：418.43 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SPI80N03S2-03 | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：418.43 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：418.43 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
SPI80N03S2-03
- 功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
P-TO262-3-1 |
8866 |
询价 | |||
INFINE0N |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-2203L |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO262-3 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
P-TO262-3-1 |
8000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
P-TO262-3-1 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
I2PAK |
23872 |
询价 |
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