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BAR64-04	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAR64-04	文件：41.33 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINDiode Features ●Highvoltagecurrentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorandswirches ●Freqencyrangeabove1MHz ●Lowresistanceandshortcarrierlifetime ●Forfrequenciesupto3GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAR64-04	文件：269.71 Kbytes Page：16 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAR64-04	文件：494.53 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiodes •HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches •Frequencyrangeabove1MHzupto3GHz •Lowresistanceandlongcarrierlifetime •Verylowcapacitanceatzerovoltsreversebiasatfrequenciesabove1GHz •Verylowsignaldistortion	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAR64-04T	文件：494.53 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiodes •HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches •Frequencyrangeabove1MHzupto3GHz •Lowresistanceandlongcarrierlifetime •Verylowcapacitanceatzerovoltsreversebiasatfrequenciesabove1GHz •Verylowsignaldistortion	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAR64-04W	文件：1.01163 Mbytes Page：16 Pages	HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches SiliconPINDiode •HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches •Frequencyrangeabove1MHzupto6GHz •Verylowcapacitanceatzerovoltreversebiasatfrequenciesabove1GHz(typ.0.17pF) •Lowforwardresistance(typ.2.1Ω@10mA) •Verylowsignald	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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