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BAR64-04T	文件：494.53 Kbytes Page：9 Pages	Silicon PIN Diode SiliconPINDiodes •HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches •Frequencyrangeabove1MHzupto3GHz •Lowresistanceandlongcarrierlifetime •Verylowcapacitanceatzerovoltsreversebiasatfrequenciesabove1GHz •Verylowsignaldistortion	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAP64-04	文件：84.63 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION TwoplanarPINdiodesinseriesconfigurationinaSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFattenuatorsandswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Lowseriesinductance •Forapplicationsupto	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-04	文件：37.82 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINdiode ■Features ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-04	文件：50.52 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-04	文件：497.47 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposePinDiodes250mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHSCompliant.SeeOrderingInformation) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •LowDiodeCapacitance •LowDiodeForwardResistance	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAP64-04	文件：1.39639 Mbytes Page：1 Pages	SiliconPINdiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-04	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP64-04	文件：678.66 Kbytes Page：5 Pages	PinDiode PinDiode FEATURES ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAP64-04-HF	文件：1.1892 Mbytes Page：3 Pages	PINDiodes	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-04W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP64-04W	文件：650.4 Kbytes Page：5 Pages	PinDiode PinDiode FEATURE ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz APPLICATION ●RFattenuatorsandswitches	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAP64-04W	文件：517.13 Kbytes Page：3 Pages	Lowdiodecapacitance Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAP64-04W	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION TwoplanarPINdiodesinseriesconfigurationinaSOT323smallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFattenuatorsandswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Lowseriesinductance •Forapplicationsupto	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-04WS	文件：140.65 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BAP64-04WS	文件：140.65 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
BAR64-04	文件：1.01163 Mbytes Page：16 Pages	HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches SiliconPINDiode •HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches •Frequencyrangeabove1MHzupto6GHz •Verylowcapacitanceatzerovoltreversebiasatfrequenciesabove1GHz(typ.0.17pF) •Lowforwardresistance(typ.2.1Ω@10mA) •Verylowsignald	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR64-04	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR64-04	文件：89.48 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPINDiode(HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswirchesFreqencyrangeabove1MHz) SiliconPINDiode ●Highvoltagecurrentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorandswirches ●Freqencyrangeabove1MHz ●Lowresistanceandshortcarrierlifetime ●Forfrequenciesupto3GHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BAR64-04	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR64-04	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
BAR64-04T
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon PIN Diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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