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SPD30P06P_NKGLBDT/南科功率半导体_MOSFET P-CH -60 V -30 A南科功率半导

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1+	1

厂家型号：
SPD30P06P
产品分类：
芯片
生产厂商：
NK/南科功率
库存数量：
986966
产品封装：
TO-252
生产批号：
2025+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-5-22 9:59:00

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详细信息
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原厂料号：SPD30P06P品牌：NK/南科功率

国产

芯片型号：
SPD30P06P
规格书：
下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
10 页
文件大小：
557.33 kb
资料说明：
SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

产品属性

类型
描述
型号：
SPD30P06P
功能描述：
MOSFET P-CH -60 V -30 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商

企业：
深圳市南科功率半导体有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
柯经理
手机：
18529599598
询价：
电话：
0755-82550454
传真：
0755-82550454
地址：
深圳市福田区华强北新华强H4C003

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