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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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P-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SIPMOS횘Power-TransistorFeaturesEnhancementmodeAvalancherated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
-60VP-ChannelMOSFET Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
60V,30AP-CHANNELPOWERMOSFET | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
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详细参数
- 型号：
SPD30P06P G
- 功能描述：
MOSFET SIPMOS Power Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1932+ |
TO-252 |
2140 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
2022+ |
TO-252 |
57550 |
询价 | |||
ADI |
24+ |
BGA |
3895 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
TO-252 |
2376 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
87779 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
2376 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
6000 |
公司渠道现货 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
2376 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
INF |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
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