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SPD09P06PL G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD09P06PLG	文件：581.79 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：581.79 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD09P06PLG	文件：1.26144 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode 文件：1.26144 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD09P06PLG	文件：580.79 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor Feature • P-Channel • Enhancement mode • Logic Level prueb •175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • P-channel • Enhancement mode • Logic Level • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant ° Qualified accord 文件：580.79 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多SPD09P06PL G供应商更新时间2025-11-5 9:01:00