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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
SIPMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | ||
SIPMOSPower-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •LogicLevelprueb •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •P-channel •Enhancementmode •LogicLevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant °Qualifiedaccord | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SIPMOSPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
详细参数
- 型号：
SPD09P06PL G
- 功能描述：
MOSFET POWER MOSFET DISCRETE
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
13+ |
6258 |
原装分销 |
询价 | |||
INF |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
24+/25+ |
2500 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
Infineon |
1728+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3766 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
INFINEO |
23+ |
NA |
5000 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
询价 | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
25+23+ |
TO252 |
8256 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
infineon |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
infineon |
18+ |
TO-252 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 |
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