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SPD07N60C3中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
SPD07N60C3规格书详情
• DESCRITION
• High peak current capability
• Improved transconductance
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.6Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
产品属性
- 型号:
SPD07N60C3
- 功能描述:
MOSFET MOSFET N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
177666 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO252 |
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Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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MOS |
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INFINEON |
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P-TO252-3-1 |
38039 |
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Infineon/英飞凌 |
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TO-252-2(DPAK) |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
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INFINEON |
08+ |
TO252-3 |
20000 |
普通 |
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MOLEX/莫仕 |
2508+ |
/ |
275591 |
一级代理,原装现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
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询价 |