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SPD06N80C3规格书详情
• DESCRITION
• High peak current capability
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.9Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
产品属性
- 型号:
SPD06N80C3
- 功能描述:
MOSFET COOL MOS POWER TRANSISTOR
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
13+ |
TO-252 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO252-3 |
15500 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
30000 |
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INFINEON/英飞凌 |
19+ |
TO-252 |
593 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO252 |
25000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO252 |
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INFINEON/英飞凌 |
TO252 |
23+ |
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Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
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INFINEON TECHNOLOGIES AG |
25+ |
SMD |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
9048 |
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询价 |