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BZW04P10	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04P10A	文件：1.02949 Mbytes Page：6 Pages	400WattsAxialLeadedTransientVoltageSuppressor VOLTAGERANGE:5.8-376VPOWER:400Watts Features ●ConstructedwithGlassPassivatedDie ●UniandBidirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04P10B	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04P10B	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P10B	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：195.74 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORVOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae VOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae FEATURES ■Plasticpackage ■GlasspassivatedchipjunctioninDO-41Package ■400Wsurgecapabilityat10/1000µswavefromExcellentclampingcapability ■Lowzenerimpedance ■Fastresponsetime:typicallylesst	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
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G04P10HE	文件：622.46 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG04P10HEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
SPD04P10P	文件：831.09 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD04P10PLGXT
制造商：
Infineon
功能描述：
4.2A,100V Power MOSFET
制造商：
Infineon Technologies AG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPD04P10PLGXT供应商更新时间2025-5-23 18:31:00

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