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BZW04P10	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P10A	文件：1.02949 Mbytes Page：6 Pages	400WattsAxialLeadedTransientVoltageSuppressor VOLTAGERANGE:5.8-376VPOWER:400Watts Features ●ConstructedwithGlassPassivatedDie ●UniandBidirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04P10B	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04P10B	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P10B	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：195.74 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORVOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae VOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae FEATURES ■Plasticpackage ■GlasspassivatedchipjunctioninDO-41Package ■400Wsurgecapabilityat10/1000µswavefromExcellentclampingcapability ■Lowzenerimpedance ■Fastresponsetime:typicallylesst	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04P10B	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
G04P10HE	文件：622.46 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG04P10HEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
SPD04P10P	文件：831.09 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD04P10PL G
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 4.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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