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TA8210L	文件：740.02 Kbytes Page：11 Pages	22WBTLx2CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TD8210	文件：1.26265 Mbytes Page：16 Pages	HighEfficiency1.5MHz,StepUpRegulator	TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC. 泰德美国泰德半导体有限公司	TECHCODE
TISP8210MD	文件：417.59 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8210MDR-S	文件：417.59 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8210MDR-S	文件：414.06 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TPC8210	文件：1.05355 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8210	文件：229.1 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications •Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=11mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=13S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) •Enhancementmode:Vth=1.3to	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8210	文件：275.91 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8210	文件：426.58 Kbytes Page：7 Pages	SILICONNCHANNELMOSTYPELITHIUMBATTERYAPPLICATIONS LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancementmode:Vth=0.5~1.2V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8210	文件：197.97 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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深圳市威雅利发展有限公司	SPC8210FOB	SEIKO	2001	QFP	384	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多SPC8210FOB供应商更新时间2025-5-20 16:08:00

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