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TISP8210MD

COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TISP8210MDR-S

COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TISP8210MDR-S

COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TISP8210MDR-S

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:电路保护 TVS - 混合技术 描述:SURGE PROT THYRIST NEG V SLIC

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

TPC8210

DualN-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

TPC8210

LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TPC8210

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications •Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=11mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=13S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) •Enhancementmode:Vth=1.3to

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TPCS8210

LithiumIonBatteryApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TPCS8210

SILICONNCHANNELMOSTYPELITHIUMBATTERYAPPLICATIONS

LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=9.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancementmode:Vth=0.5~1.2V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

UZ8210

POWERZENERS

UZ8706,UZ8806SERIES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

详细参数

  • 型号:

    TISP8210MD

  • 功能描述:

    SCR -150mA High Hold current

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO:

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM:

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):

    5 uA

  • 开启状态:

    RMS

  • 正向电压下降:

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt):

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压:

    5 V

  • 栅触发电流(Igt):

    35 mA 保持电流(Ih

  • 最大值):

    75 mA

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    TO-220

  • 封装:

    Tube

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更多TISP8210MD供应商 更新时间2025-5-23 17:38:00