SP8M51TB1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SP8M51TB1 |
| 参数属性 | SP8M51TB1 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8 |
| 功能描述 | 4V Drive NchPch MOSFET |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
296.54 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | ROHM |
| 中文名称 | 罗姆 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 20:07:00 |
| 人工找货 | SP8M51TB1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SP8M51TB1规格书详情
SP8M51TB1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由罗姆半导体集团制造生产的SP8M51TB1晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
SP8M51TB1
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
N 和 P 沟道
- FET 功能：
标准
- 漏源电压（Vdss）：
100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
3A，2.5A
- 功率 - 最大值：
2W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOP
- 描述：
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
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