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SP8M51TB1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料

SP8M51TB1
厂商型号

SP8M51TB1

参数属性

SP8M51TB1 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

功能描述

4V Drive NchPch MOSFET

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

296.54 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Rohm
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 17:35:00

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产品属性

  • 产品编号:

    SP8M51TB1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    N 和 P 沟道

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    100V

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    3A,2.5A

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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