SP8M51TB1 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 ROHM/罗姆

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
SP8M51TB1
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
生产厂商：
ROHM/罗姆
库存数量：
8160
产品封装：
SOP8
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-30 14:24:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：SP8M51TB1品牌：ROHM/罗姆

原厂原装

SP8M51TB1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。制造商ROHM/罗姆/Rohm Semiconductor生产封装SOP8/8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的SP8M51TB1晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

芯片型号：
SP8M51TB1
规格书：
下载下载2
企业简称：
ROHM【罗姆】详情
厂商全称：
Rohm
中文名称：
罗姆半导体集团
内容页数：
1 页
文件大小：
296.54 kb
资料说明：
4V Drive NchPch MOSFET

产品属性

类型
描述
产品编号：
SP8M51TB1
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 和 P 沟道
FET 功能：
标准
漏源电压（Vdss）：
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
3A，2.5A
功率 - 最大值：
2W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

供应商

企业：
深圳市昂芯微科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
张富英/曾先生
手机：
13169937168
询价：
电话：
13169937168/13163707198
地址：
深圳市福田区沙头街道沙尾社区沙尾东村228号301/门市地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋A235室

SP8M51TB1 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 ROHM/罗姆

SP8M51TB1

产品属性

供应商

相关型号

相近型号