SP8M5分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SP8M5 |
| 参数属性 | SP8M5 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8 |
| 功能描述 | Switching |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
76.46 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ROHM |
| 中文名称 | 罗姆 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-12 11:54:00 |
| 人工找货 | SP8M5价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SP8M5规格书详情
SP8M5属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由罗姆半导体集团制造生产的SP8M5晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
SP8M51TB1
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
N 和 P 沟道
- FET 功能：
标准
- 漏源电压（Vdss）：
100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
3A，2.5A
- 功率 - 最大值：
2W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOP
- 描述：
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
9000 |
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询价 | ||
ROHM |
2016+ |
SOP8 |
2600 |
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询价 | ||
VBsemi |
24+ |
SOP8 |
18000 |
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询价 | ||
ROHM |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
SOP-8 |
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ROHM/罗姆 |
23+ |
SOP-8 |
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ROHM |
24+ |
N/A |
90000 |
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24+ |
N/A |
69000 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
SOP8 |
880000 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
新年份 |
SOP-8 |
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