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SP8K33-TB	文件：1.92073 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.92073 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SP8K4	文件：65.88 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 9.0A) 文件：65.88 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K41FRA	文件：2.65302 Mbytes Page：15 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；80V NchNch Power MOSFET 文件：2.65302 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K4TB	文件：65.88 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 9.0A) 文件：65.88 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K52FRA	文件：2.56443 Mbytes Page：14 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；100V NchNch Middle Power MOSFET 文件：2.56443 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K10S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching (30V / 5.0A) 1) Low on-resistance.\n2) Built-in G-S Protection Diode.\n3) Small and Surface Mount Package (SOP8).\n\nApplication\nPower switching, DC / DC converter.\n\nStructure\nSilicon N-channel\nMOS FET;	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K1FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Nch+Nch 功率MOSFET SP8K1FRA是最适合开关用途的低导通电阻功率MOSFET。为车载用高可靠性产品。 • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K1FU6TB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.093
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.059
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.093
Total gate charge Qg[nC]：
2.5
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多SP8K供应商更新时间2025-12-25 15:00:00

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