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SP8K1FU6TB中文资料MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC数据手册ROHM规格书

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厂商型号

SP8K1FU6TB

功能描述

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:01:00

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技术参数

  • 型号:

    SP8K1FU6TB

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 5A N-CHAN DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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SOP8
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