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SP8K80	文件：1.18483 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Built-in G-S protection diode. 2) Small surface mount package(SOP8). Application Switching Structure Silicon N-channel MOSFET 文件：1.18483 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K1	文件：65.14 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 5.0A) 文件：65.14 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K1TB	文件：1.02591 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02591 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SP8K1TB	文件：65.14 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 5.0A) 文件：65.14 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K2	文件：65.28 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 6.0A) 文件：65.28 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K22FRA	文件：2.71413 Mbytes Page：15 Pages	45V NchNch Power MOSFET 文件：2.71413 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K22FU6TB	文件：1.96705 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.96705 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SP8K22FU7TB	文件：1.92099 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.92099 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SP8K22-TB	文件：1.92083 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.92083 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SP8K23FRA	文件：2.55591 Mbytes Page：15 Pages	45V NchNch Power MOSFET 文件：2.55591 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.093
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.059
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.093
Total gate charge Qg[nC]：
2.5
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多SP8K供应商更新时间2025-12-25 15:00:00

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