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SP8K1	文件：59.64 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 5.0A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8K1	文件：65.14 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 5.0A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8K1	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Nch MOSFET; •4V驱动型 Nch+Nch 功率MOSFET;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8K10S	文件：59.64 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 5.0A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8K1FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Nch+Nch 功率MOSFET; • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified\n; SP8K1FRA是最适合开关用途的低导通电阻功率MOSFET。为车载用高可靠性产品。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8K1FU6TB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8K1TB	文件：65.14 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 5.0A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8K1TB	文件：1.02591 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.052
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.052
Total gate charge Qg[nC]：
3.9
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SP8K1供应商更新时间2025-7-28 10:00:00

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