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SP8J66TB1

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

ROHM

罗姆

SPA02N80C3

TO-220

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市瑞卓芯科技有限公司

SPA11N80C3

QFN

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市维尔达电子有限公司

SPA11N80C3

TO220F

Infineon/英飞凌

上传:深圳市英博尔电子有限公司

Infineon/英飞凌

SPA17N80C3

TO-220

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    SP8J66TB1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    2 个 P 沟道(双)

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    9A

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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ROHM
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