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SP8K3	文件：60.34 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 7.0A) Switching (30V, 7.0A) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Structure Silicon N-channel MOS FET 文件：60.34 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K3	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Nch MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •4V驱动型 Nch+Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K32	文件：98.32 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive NchNch MOSFET Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Applications Switching 文件：98.32 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K31FRA	文件：1.12094 Mbytes Page：8 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；4V Drive NchNch MOSFET 文件：1.12094 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K31-TB	文件：1.08933 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08933 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SP8K32FRA	文件：2.89513 Mbytes Page：14 Pages	60V NchNch Power MOSFET 文件：2.89513 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K33FRA	文件：1.10168 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive NchNch MOSFET 文件：1.10168 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K33-TB	文件：1.92073 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.92073 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SP8K31HZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 双 Nch+Nch 功率MOSFET SP8K31HZG是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 60V MOSFET。内置ESD保护二极管。适合开关用途。 • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K32FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V Nch+Nch 功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
7.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
8.4
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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技术参数

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