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SP8K32	文件：98.32 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive NchNch MOSFET Features 1)Built-inG-SProtectionDiode. 2)SmallsurfaceMountPackage(SOP8). Applications Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
SP8K32FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V Nch+Nch 功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。; • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified\n;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
SP8K32HZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 双 Nch+Nch 功率MOSFET SP8K32HZG是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 60V MOSFET。内置ESD保护二极管。适合开关用途。; • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified\n;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
SP8K32FRA	文件：2.89513 Mbytes Page：14 Pages	60V NchNch Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
SPA02N80C3	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO-220	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
4.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.052
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.055
Total gate charge Qg[nC]：
7.0
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SP8K32供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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