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SNSS35200MR6T1G	文件：120.66 Kbytes Page：6 Pages	35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SNSS35200MR6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 35V 2A 6TSOP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
SNSS35200MR6T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
310mV @ 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1.5A，1.5V
频率 - 跃迁：
100MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
6-TSOP
描述：
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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