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SNSS35200MR6T1G中文资料35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
SNSS35200MR6T1G |
| 参数属性 | SNSS35200MR6T1G 封装/外壳为SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 35V 2A 6TSOP |
| 功能描述 | 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| 封装外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 17:21:00 |
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SNSS35200MR6T1G规格书详情
简介
SNSS35200MR6T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的SNSS35200MR6T1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
SNSS35200MR6T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
310mV @ 20mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1.5A，1.5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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