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SN74ABT541B	文件：344.02 Kbytes Page：12 Pages	OCTAL BUFFER/DRIVER WITH 3-STATE OUTPUTS Qualified for Automotive Applications ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 150 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) State-of-the-Art EPIC-ΙΙB™ BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JES 文件：344.02 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541B	文件：662.93 Kbytes Page：18 Pages	OCTAL BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：662.93 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541B	文件：729.37 Kbytes Page：11 Pages	OCTAL BUFFER/DRIVER WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：729.37 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541B	文件：94.67 Kbytes Page：6 Pages	OCTAL BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：94.67 Kbytes 页数：6 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541B	文件：588.04 Kbytes Page：20 Pages	OCTAL BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：588.04 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541B-EP	文件：344.02 Kbytes Page：12 Pages	OCTAL BUFFER/DRIVER WITH 3-STATE OUTPUTS Qualified for Automotive Applications ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 150 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) State-of-the-Art EPIC-ΙΙB™ BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JES 文件：344.02 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541BIPWRQ1	文件：344.02 Kbytes Page：12 Pages	丝印：AB541IQ1；Package：TSSOP；OCTAL BUFFER/DRIVER WITH 3-STATE OUTPUTS Qualified for Automotive Applications ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 150 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) State-of-the-Art EPIC-ΙΙB™ BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JES 文件：344.02 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541B-Q1	文件：344.02 Kbytes Page：12 Pages	OCTAL BUFFER/DRIVER WITH 3-STATE OUTPUTS Qualified for Automotive Applications ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 150 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) State-of-the-Art EPIC-ΙΙB™ BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JES 文件：344.02 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541BDB	文件：94.67 Kbytes Page：6 Pages	OCTAL BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：94.67 Kbytes 页数：6 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT541BDBLE	文件：588.04 Kbytes Page：20 Pages	OCTAL BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：588.04 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Supply voltage (Min) (V)：
4.5
Supply voltage (Max) (V)：
5.5
Number of channels (#)：
8
IOL (Max) (mA)：
64
ICC (Max) (uA)：
30000
IOH (Max) (mA)：
-32
Input type：
TTL-Compatible CMOS
Output type：
3-State
Features：
Ultra high speed (tpd
Rating：
Catalog

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SN74ABT541B供应商更新时间2025-10-11 17:06:00

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