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SN74ABT5402A	文件：302.09 Kbytes Page：12 Pages	12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS Output Ports Have Equivalent 25-W Series Resistors, So No External Resistors Are Required State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JESD-17 Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：302.09 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402A	文件：105.94 Kbytes Page：6 Pages	12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：105.94 Kbytes 页数：6 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402A	文件：530.1 Kbytes Page：12 Pages	12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：530.1 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402ADW	文件：302.09 Kbytes Page：12 Pages	丝印：ABT5402A；Package：SOIC；12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS Output Ports Have Equivalent 25-W Series Resistors, So No External Resistors Are Required State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JESD-17 Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：302.09 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402ADW.B	文件：302.09 Kbytes Page：12 Pages	丝印：ABT5402A；Package：SOIC；12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS Output Ports Have Equivalent 25-W Series Resistors, So No External Resistors Are Required State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JESD-17 Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：302.09 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402ADWR	文件：302.09 Kbytes Page：12 Pages	丝印：ABT5402A；Package：SOIC；12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS Output Ports Have Equivalent 25-W Series Resistors, So No External Resistors Are Required State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JESD-17 Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：302.09 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402ADWR.B	文件：302.09 Kbytes Page：12 Pages	丝印：ABT5402A；Package：SOIC；12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS Output Ports Have Equivalent 25-W Series Resistors, So No External Resistors Are Required State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JEDEC Standard JESD-17 Typical VOLP (Output Ground Bounce) 文件：302.09 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402ADW	文件：105.94 Kbytes Page：6 Pages	12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：105.94 Kbytes 页数：6 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402ADW	文件：530.1 Kbytes Page：12 Pages	12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：530.1 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74ABT5402ADWG4	文件：530.1 Kbytes Page：12 Pages	12-BIT LINE/MEMORY DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 文件：530.1 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Supply voltage (Min) (V)：
4.5
Supply voltage (Max) (V)：
5.5
Number of channels (#)：
12
IOL (Max) (mA)：
12
ICC (Max) (uA)：
48000
IOH (Max) (mA)：
-12
Input type：
TTL-Compatible CMOS
Output type：
3-State
Features：
Balanced outputs
Rating：
Catalog

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	SN74ABT5402A	TI	24+	SOIC\|28	71000	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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更多SN74ABT5402A供应商更新时间2025-10-11 17:06:00

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