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SN54ABT861	文件：280.67 Kbytes Page：11 Pages	10-BIT TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS State-of-the-Art EPIC-IIBE BiCMOS Design Significantly Reduces Power Dissipation ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0) High-Impedance State During Power Up and Power Down Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JED 文件：280.67 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
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