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MMBT5401LT1	文件：189.34 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT5401LT1	文件：40.92 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT5401LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.BVCEO=150V(@IC=1mA) •ComplementstoNPNTypeMMBT5551LT1.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5401LT1	文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5401LT1	文件：44.6 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT5401LT1G	文件：121.01 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor(PNPSilicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：139.08 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：118.48 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorPNPSilicon HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LMBT5401LT1G	文件：445.01 Kbytes Page：5 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
WMBT5401LT1	文件：34.88 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconTransistor PNPSiliconTransistor	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS

产品属性

产品编号：
SMMBT5401LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3

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